特許
J-GLOBAL ID：200903013267418276
粒子およびこれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-209590
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066226
出願日： 1993年08月24日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、均一でパターン精度の高い静電転写パターンを形成することにのできる粒子を提供することを目的とする。【構成】 本発明では、少なくとも一部未重合の部分を含む樹脂からなる第1の微粒子群101と酸化重合触媒からなる第2の微粒子群103とが熱可塑性樹脂102を介して結合せしめられて構成された粒子を静電転写方式によって、基板表面にパターン転写し、加熱することにより前記第1および第2の微粒子群を接触せしめ重合反応を起こすことにより所望のパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
少なくとも一部未重合部分を含む樹脂からなる第1の微粒子群と、酸化重合触媒からなる第2の微粒子群とが、熱可塑性樹脂を介して結合せしめられていることを特徴とする粒子。
IPC (2件)：
H01L 21/52
, H01L 21/60 311
