特許

J-GLOBAL ID：200903013267671087

改善されたゲ-ト誘電体を有するMOSトランジスタ

発明者： グレン ビー. アラーズ ,  ロバート マックレモアー フレミング ,  リン フランシス シェニーメイヤー ,  ロバー ブルース ヴァン ドーヴァー
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-148993
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012840
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、改善されたゲート誘電体を有するMOSトランジスタを提供する。【解決手段】 本明細書は、xが0.03-0.7,yが1.5-3であるTa<SB>1-x </SB>Al<SB>x </SB>O<SB>y </SB>,xが0.05-0.15,yが1.5-3であるTa<SB>1-x </SB>Si<SB>x </SB>O<SB>y </SB>,70>x+z<5,z<0.15,yが1.5-3であるTa<SB>1-x-z </SB>Al<SB>x </SB>Si<SB>z </SB>O<SB>y </SB>の組成を有するゲート誘電体をもつシリコンMOSデバイスについて述べている。標準的なSiO<SB>2 </SB>ゲート誘電体と比較して、これらの材料は改善された誘電体特性を実現し、高い温度まで本質的にアモルファスのままである。これによってSiO<SB>2 </SB>界面層の形成が遅れ、界面層はそうでなければゲート誘電体特性を支配し、高誘電材料を用いる全体的な有効性を減してしまう。

請求項（抜粋）：

a.シリコン基板上への誘電体層の形成、b.前記誘電体層上へのゲート電極の形成を含み、誘電体層は、(1)xが0.03-0.7,yが1.5-3であるTa<SB>1-x </SB>Al<SB>x </SB>O<SB>y </SB>、(2)xが0.05-0.15,yが1.5-3であるTa<SB>1-x </SB>Si<SB>x </SB>O<SB>y </SB>、及び(3)70>x+z<5,z<0.15,yが1.5-3であるTa<SB>1-x-z </SB>Al<SB>x </SB>Si<SB>z </SB>O<SB>y </SB>から成るグループから選択された組成をもつMOSシリコンデバイスの作製方法。