特許
J-GLOBAL ID：200903013268377026
導電性酸化物電極を用いた誘電体薄膜キャパシタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-322168
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144264
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 導電性酸化物電極を用いた誘電体薄膜キャパシタに関し、誘電体薄膜キャパシタに用いる導電性酸化物電極を薄膜化してもリーク電流が増加がないようにする。【解決手段】 シリコン基板1の表面に形成されたSiO2 からなる絶縁膜2上にアモルファスの状態或いは微結晶の状態にあるIrOx からなる導電性酸化物電極3、Ptからなる電極4、PLZTからなる強誘電体膜5、アモルファスの状態或いは微結晶の状態にあるSROからなる導電性酸化物電極6、Ptからなる電極7が順に積層形成された構造にしてある。
請求項（抜粋）：
導電性酸化物電極を構成する材料がアモルファスの状態或いは微結晶の状態にあることを特徴とする導電性酸化物電極を用いた誘電体薄膜キャパシタ。
IPC (5件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/10 451
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
