特許
J-GLOBAL ID：200903013280296236
リッジ埋め込み型半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-092984
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310799
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 マスクの幅方向の端縁近傍における電流ブロック層の隆起部の形成を抑制し、電流ブロック層形成後に形成するキャップ層の表面を従来よりも平坦な表面に形成する。【構成】 マスクの幅Lが、リッジ1の下端部の幅W及びリッジ1の高さSに対してL≧W+1/2Sの関係を満足するように、マスク12の幅を設定するとともに、このマスク12を用いてメサ状リッジ1を形成し、マスク12の両側のエッチング部分に電流ブロック層を選択的に形成し、電流ブロック層形成後、キャップ層を形成する。
請求項（抜粋）：
マスクを用いてクラッド層を選択的にエッチングしメサ状リッジを形成する工程と、該マスクの両側のエッチング部分に電流ブロック層を選択的に形成する工程と、電流ブロック層形成後キャップ層を形成する工程とを備える、リッジ埋め込み型半導体レーザの製造方法であって、前記マスクの幅Lが、前記リッジの下端部の幅W及びリッジの高さSに対して、L≧W+1/2Sの関係を満足することを特徴とする、リッジ埋め込み型半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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