特許
J-GLOBAL ID:200903013289269150

単結晶の製造方法および製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-355501
公開番号(公開出願番号):特開平11-180795
出願日: 1997年12月24日
公開日(公表日): 1999年07月06日
要約:
【要約】【課題】 リン酸チタン酸カリウム(KTP;KTiOPO4 )等の単結晶を融液成長法により成長する際に、種結晶と融液表面が確実に接触したことを、光学的方法によらずモニタしうる単結晶製造装置を提供し、またこれを用いた歩留りの高いかつ高品位の単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 種結晶1と融液5との間の電気抵抗をモニタする電気抵抗検出装置9を設ける。種結晶1と融液5とが接触すると、両者間の抵抗変化が検出されるので、この抵抗変化情報にもとづき、単結晶4の成長を開始する。
請求項(抜粋):
単結晶原料を含む融液と種結晶とを接触せしめ、前記融液を徐冷するとともに前記種結晶を回転しつつ、前記種結晶上に単結晶を成長させる工程を有する単結晶の製造方法であって、前記種結晶と前記融液との接触状態を、前記種結晶と前記融液との間の電気抵抗変化により検知することを特徴とする単結晶の製造方法。
IPC (3件):
C30B 17/00 ,  C30B 29/32 ,  G02B 1/02
FI (3件):
C30B 17/00 ,  C30B 29/32 B ,  G02B 1/02

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