特許

J-GLOBAL ID：200903013290559227

半導体受光素子及びその製造方法

発明者： 井元 康雅
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-121052
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298211
出願日： 2000年04月17日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 信頼性に優れ、歩留まりの良い配線を形成することが可能な半導体受光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 基板101上に積層された半導体層102〜104によりメサ状の受光部106とパッド電極形成部107がそれぞれ形成され、受光部106の表面上に受光領域105とn側電極116が形成され、パッド電極形成部107の表面上にp側電極117が形成され、前記受光領域105は配線118を介してp側電極117に接続される。各電極116,117及び配線118は、下地金属膜113と、その表面上に形成された金属メッキ膜115との積層構造とする。配線118の厚さを所望の厚さに形成することができ、配線抵抗を低減して高速動作が実現できるとともに、配線強度を高めてストレス等による段切れの発生を未然に防止し、信頼性の高い配線が形成できる。

請求項（抜粋）：

基板上に積層された半導体層によりメサ状の受光部とパッド電極形成部がそれぞれ形成され、前記受光部の表面上に受光領域と一方の電極が形成され、前記パッド電極形成部の表面上に他方の電極が形成され、前記受光領域は配線を介して前記他方の電極に接続され、前記受光領域が形成された半導体層が前記一方の電極に電気接続されている半導体受光素子において、前記各電極及び前記配線は、下地金属膜と、前記下地金属膜の表面上に形成された金属メッキ膜との積層構造であることを特徴とする半導体受光素子。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/43

FI (6件)：

H01L 21/288 E ,  H01L 31/10 H ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 T ,  H01L 29/46 H

Fターム (50件)：

4M104AA04 ,  4M104BB11 ,  4M104BB15 ,  4M104DD17 ,  4M104DD34 ,  4M104DD52 ,  4M104DD65 ,  4M104DD68 ,  4M104DD71 ,  4M104GG05 ,  4M104HH13 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK01 ,  5F033MM08 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ41 ,  5F033RR06 ,  5F033RR30 ,  5F033SS15 ,  5F033VV00 ,  5F033XX02 ,  5F033XX10 ,  5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA03 ,  5F049NA15 ,  5F049NA20 ,  5F049PA03 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049PA15 ,  5F049QA02 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ03