特許

J-GLOBAL ID：200903013293293538

大型超電導体およびその作製方法

発明者： 澤村 充 ,  森田 充
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 萩原 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-305102
公開番号（公開出願番号）：特開2001-322897
出願日： 2000年10月04日
公開日（公表日）： 2001年11月20日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、短期間での結晶成長が可能で、かつ超電導バルク体中を流れる電流の阻害要因であるBa-Cu-O化合物やCu-O化合物等の排斥物を減少もしくは無くし、大電流が流れうる酸化物超電導バルク体を提供することを目的とする。【解決手段】 REBa2Cu3Ox 系超電導体であって、包晶温度が異なる複数の超電導体層をTpの順に立体的に積層した構造を有し、かつ最も高いTpを有する超電導相上に2個以上の種結晶を載置することを特徴とする大型超電導中間体及びこれから得られる大型超電導体並びにその作製方法である。これにより短期間で結晶成長が実現でき、大電流が流れうる酸化物超電導バルク体を得ることができる。

請求項（抜粋）：

REBa2Cu3Ox(REはYを含む希土類元素の1種類またはその組み合わせ)系超電導体であって、 REBa2Cu3Ox相(123相)の包晶温度(Tp)が異なる123相中に非超電導相が微細に分散した組織を有する複数の酸化物超電導体層をTpの順に立体的に積層した構造を有し、かつ最も高いTpを有する酸化物超電導相上に2個以上の種結晶を載置し、少なくとも前記高Tp酸化物超電導相に排斥相を含有することを特徴とする大型超電導中間体。

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077BC53 ,  4G077CA01 ,  4G077CA03 ,  4G077CA07 ,  4G077CA09 ,  4G077EB01 ,  4G077EC02 ,  4G077ED01 ,  4G077HA08