特許

J-GLOBAL ID：200903013298024608

特に集積化された電子装置における電荷キャリアの寿命の局所化される短縮のための処理、および電荷キャリアの寿命の局所化される短縮を伴う集積化された電子装置

発明者： アンナ・バッタグリア ,  ピエールジョルジオ・ファリカ ,  ケサーレ・ロンシスバッレ ,  サルバトーレ・コッファ ,  ビート・ライネリ
出願人/特許権者： コンソルツィオ・ペール・ラ・リケルカ・スラ・ミクロエレットローニカ・ネル・メッツォジオルノ
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-185429
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045869
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【課題】 集積化された電子装置における電荷キャリアの寿命の局所化される短縮のための方法および装置を提供する。【解決手段】 方法は、好ましくはヘリウムである希ガスのイオンが集積化された素子の活性領域において泡を形成するよう、イオンを高い線量かつ高エネルギレベルで活性領域に注入するステップを含む。泡の構造を改善し希ガスを蒸発させて活性領域に空洞を残すために、希ガスの泡の形成後にさらなる熱処理が行なわれる。

請求項（抜粋）：

特に集積化された電子装置における電荷キャリアの寿命の局所化される短縮のための処理であって、希ガスのイオンが前記集積化された装置の活性領域(3a、3b、2a、33)で泡(71a〜71d、72a、72b、73a、73b)を形成するよう前記活性領域に前記イオンを高い線量でかつ高エネルギレベルで注入するステップを含むことを特徴とする、処理。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 658 H