特許

J-GLOBAL ID：200903013301060300

プラズマ処理方法および装置

発明者： 七田 弘之 ,  田村 直行 ,  牧野 昭孝 ,  中田 健二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-221217
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069159
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】温度制御された試料台に静電吸着力を利用して試料を保持し、該試料を処理するプラズマ処理装置において、基板の温度を再現性良く高精度に測定し、精度の良いプラズマ処理を行う。【構成】真空処理室1の内部に設けられプラズマ処理するための試料11を配置する試料台9に、静電吸着力を利用して試料11を吸着・保持させた後に、試料台9と試料11との間に伝熱用ガスを供給し、試料11の温度を検出する温度センサ22を試料11の裏面に押し付け、試料11の温度を管理しながら処理する。

請求項（抜粋）：

処理ガスが供給されると共に所定の圧力に減圧排気された真空処理室内に処理ガスのプラズマを発生させ、プラズマに対向させて配置した試料を処理するプラズマ処理方法において、前記試料を静電吸着力を利用して試料台に保持した後に、前記試料台と前記試料との間に伝熱用ガスを供給し、前記試料の温度を検出する温度センサを前記試料裏面に押し付け、前記試料の温度を管理しながら処理することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-009120
  
• 特開平3-105917
  
• 特開平4-057324