特許
J-GLOBAL ID：200903013303969667
波長選択半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271007
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097483
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 集積型の波長選択導波路型半導体pinフォトダイオードを実現する。【構成】 半導体超格子を光吸収層とし、該半導体超格子の井戸層の厚みが基板面内で2種以上に異なることによる量子準位エネルギーの差異を波長選択機構に用いる導波路型構造半導体受光素子。【効果】 同一の低バイアス条件で動作し、量子効率・応答速度も同一(一方の素子の応答が遅くならない)の波長選択特性を有する集積型導波路構造半導体受光素子を実現することができる。
請求項（抜粋）：
半導体超格子を光吸収層とし、該半導体超格子の井戸層の厚みが基板面内で2種以上に異なることによる量子準位エネルギーの差異を波長選択機構に用いる導波路型構造半導体受光素子。
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 31/10 D
