特許
J-GLOBAL ID：200903013311091255
薄膜の局所評価法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-156230
公開番号（公開出願番号）：特開平9-005373
出願日： 1995年06月22日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 局所的な絶縁膜評価を可能とする。【構成】 基板11上に設けられた絶縁膜10の評価を行う装置であって、探針9と、基板11と探針9との間に電圧を印加する電圧源18、19と、基板11と探針9との間の静電容量を計測する静電容量検出手段16と、を有する。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた絶縁膜の評価を行う装置であって、探針と、前記基板と探針との間に電圧を印加する電圧源と、前記基板と探針との間の静電容量を計測する静電容量検出手段と、からなる局所薄膜評価装置。
IPC (4件)：
G01R 27/26
, G01N 27/22
, G01N 27/60
, H01L 21/66
G01R 27/26 C
, G01N 27/22 C
, G01N 27/60 A
, H01L 21/66 Q
