特許

J-GLOBAL ID：200903013319209352

ガリウム酸化物薄膜

発明者： ネイル エドムンド ジェームス ハント ,  マシアス パスラック ,  アードマン フレデリック シュバート ,  ジョージ ジョン ヅィドヅィック
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-063712
公開番号（公開出願番号）：特開平7-268609
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、ガリウム酸化物薄膜を提供する。【構成】 半導電性、絶縁性又は金属性基板の少くとも一部分上に、誘電特性を有する化学量論的組成のガリウム酸化物(Ga2O3 )薄膜を作製する方法が、明らかにされている。この方法は、各種前記基板上に、誘電特性を有する一様で、均質の高密度のGa2O3 薄膜が堆積するように、Gd2O3 のような相対的にイオン性の酸化物を、より共有性の酸化物Ga2O3 と組合せた単結晶の高純度Gd3Ga5O12 複合化合物を、電子ビーム蒸着することを含み、半導電性基板は、III-V及びII-VI化合物半導体を含む。

請求項（抜粋）：

表面が少くとも部分的に、接触材料領域で被覆されるように、粒子ビーム堆積プロセスにより、基板の表面の少くとも一部分上に、ターゲット材料を堆積させることを含み、前記基板は半導体、絶縁体及び金属基板から選択される基板及びガリウム酸化物の薄膜を含む構造の作製プロセスにおいて、前記材料領域は、40°Cないし370°Cの範囲の基板温度及び1×10-10 Torr又はそれ以上のバックグランド圧力において、高純度単結晶Gd3Ga5O12 原料を用いて、電子ビーム蒸着により堆積させたGa2O3 の薄膜を含むことを特徴とするプロセス。

IPC (3件)：

C23C 14/08 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/203