特許
J-GLOBAL ID：200903013320723221

半導体装置及びその作製方法

発明者：
中村 理

中村 理 について

, 
桑原 秀明

桑原 秀明 について

, 
柴田 典子

柴田 典子 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-140743
公開番号（公開出願番号）：特開2003-330388
出願日： 2002年05月15日
公開日（公表日）： 2003年11月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の作製において、その工程数の削減を可能にする方法、およびその構造を提供することにより、歩留まりを向上させ、製造コストの低下を実現する。【解決手段】 素子基板上に行方向および列方向に形成されるそれぞれの配線(ソース配線、ドレイン配線等)を同一の導電膜で形成する。なお、この場合において、これらの配線が交差する部分で行方向または列方向の一方の配線を非連続的に形成し、これらの配線上に絶縁膜を形成した後で、絶縁膜上に形成される電極(以下、第1の電極とも言う)と同一の膜で、非連続的な配線を連結するための接続配線を形成することにより、連続的な配線を形成する。
請求項（抜粋）：
ソース、ドレインおよびチャネル領域をその一部に有する半導体層と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたソース配線と、前記ゲート絶縁膜上であって前記チャネル領域と重なる位置に形成されたゲート電極と、前記ソース配線および前記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された接続配線および電極とを有し、前記接続配線は、前記絶縁膜およびゲート絶縁膜に形成された開口部に形成され、かつ前記ソース配線と前記ソースとを電気的に接続し、前記接続配線および前記電極は同一の材料で同一の成膜面に形成されることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14
FI (6件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1368 ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 612 C
Fターム (112件)：
2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA29 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA38 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB13 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA41 ,  2H092NA01 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB07 ,  3K007DB03 ,  3K007GA04 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094ED03 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE37 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL14 ,  5F110HM15 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ28
引用特許：
審査官引用 (7件)
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