特許

J-GLOBAL ID：200903013331256102

半導体製造装置およびガス排出方法

発明者： 木村 薫仁
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立北海セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-051468
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246257
出願日： 1996年03月08日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハに薄膜形成処理を行う半導体製造装置において、処理後の大気圧開放時において処理室内に反応生成物からの汚染ガスが流入することを防止する。【解決手段】 半導体ウェハに減圧下で薄膜形成処理を施す処理室7とこの処理室7を所定の真空度に排気する真空ポンプとを連通する排気管15内に一方の開口端を面して排ガス管19を取り付ける。そして、一方端から導入された不活性ガスなどのパージガスGが他方端から流出する貫通孔20aが形成された排ガスバルブ20に対し、貫通孔20aの途中位置に排ガス管19の他方の開口端が面するように取り付ける。そして、パージガスGにより排ガス管19を介して排気管15内を負圧吸引してその内壁に付着した反応生成物Aから発生する汚染ガスを局所的に吸引して除去する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハが収容され、減圧下で前記半導体ウェハに薄膜形成処理を施す処理室と、前記処理室内に原料ガスを導入するガス供給管と、前記処理室内とこの処理室を所定の真空度に排気する真空排気手段とを連通する排気管と、一方の開口端が前記排気管内に面して取り付けられた排ガス管と、一方端から導入された吸引気体が他方端から流出する貫通孔が形成されるとともに前記排ガス管の他方の開口端がこの貫通孔の途中位置に面して取り付けられ、前記吸引気体により前記排ガス管を介して前記排気管内を負圧吸引する排ガスバルブとを有し、処理後に前記処理室を大気圧に戻すときに、前記排気管の内壁に付着した反応生成物から発生するガスを前記排ガスバルブで吸引除去することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C