特許

J-GLOBAL ID：200903013338871392

半導体装置

発明者： 國友 大裕 ,  多田 ▲吉▼秀
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147297
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343625
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 微細化に適し、動作性能のよい半導体装置を提供する。【構成】 ウェル10a、10b内に形成された突出部20に不純物注入によりトランジスタを生成する。そして、複数の突出部20を含む基板10表面を絶縁体40で覆い、適宜箇所にアルミコンタクトを形成して、所定回路の半導体装置を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に、所定間隔をおいて突出形成された複数の突起部と、この突起部内に不純物を注入して形成された素子動作領域と、上記突起部を含む半導体基板の表面全体を覆う絶縁体膜と、上記突起部の下方に形成され、素子動作領域と異なる導電型の不純物がより豊富に存在する複数のウェルと、を有し、上記複数のウェルには導電型の異なる2種のものがあり、異なる導電型のウェル同士の接合面は上記突起部間に存在する溝の下方に配置されていることを特徴とする半導体装置。