特許

J-GLOBAL ID：200903013340487931

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 幡 俊雄 ,  森本 泰司 ,  神川 剛 ,  山本 健作
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286327
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111106
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 基板側から形成する電極において、基板側面の電極の断線や高抵抗化による順方向電圧の増加,不均一な電流注入等の問題を解決した青色領域で発光可能な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板1上に形成されN型窒化ガリウム系化合物半導体層2、発光層3、P型窒化ガリウム系化合物半導体層4を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、基板1とN型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に高濃度のN型不純物を含む層2aが形成され、半導体層積層面と反対側の基板裏面の一部が、少なくとも高濃度のN型不純物を含む層2aに達する深さまで除去されると共に、基板裏面上および高濃度の第一導電型不純物を含む層2a上にオーム性金属薄膜6が形成されている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され少なくとも第一導電型窒化ガリウム系化合物半導体層、発光層、第二導電型窒化ガリウム系化合物半導体層を有する積層構造体からなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記基板と前記第一導電型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に高濃度の第一導電型不純物を含む層が形成され、前記積層構造体が形成された面と反対側の前記基板裏面の一部が、少なくとも前記高濃度の第一導電型不純物を含む層に達する深さまで除去されると共に、前記基板裏面上および前記高濃度の第一導電型不純物を含む層上にオーム性電極が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 F

Fターム (24件)：

5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041AA25 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA02 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA02 ,  5F041DA03 ,  5F041DA08 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26