特許
J-GLOBAL ID：200903013342410413
磁界検出装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
頓宮 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-211871
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142783
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、磁気抵抗の変化が10%乃至15%のレンジにある磁界を検出する装置を提供することである。【構成】4層のサンドイッチ構造を有し磁界を検出する磁気抵抗装置が実現される。これら4層のうち2つの層は、強磁性材料で形成され、そしてこの2つの層は非強磁性の金属層により分離されており、一方の強磁性材料の層は反強磁性材料の第4の層に隣接しており、そしてこの一方の強磁性材料の層及び反強磁性材料の層は交換異方性を示す。本発明は、従来技術における磁気抵抗が小さいという問題点及び磁気抵抗装置の磁気的レスポンスの制御が困難であるという問題点を解決する。
請求項（抜粋）：
主要表面を有する基板と、上記主要表面上に形成された強磁性材料の第1層と、上記第1層上に形成された金属性の非強磁性材料の第2層と、上記第2層上に形成された強磁性材料の第3層と、上記第3層上に形成された反強磁性材料の第4層とを有し、上記第3層及び第4層は磁化の方向を固定する交換異方性を示し、上記第1層、上記第2層及び上記第3層は電流源に結合され、上記第1層、上記第2層及び第3層を通る抵抗が該層内の電子の平均自由行程に依存する事を特徴とする磁界検出装置。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G01D 5/18
, G01R 33/09
, G11B 5/39
