特許

J-GLOBAL ID：200903013353642073

半導体光導波路

発明者： 田淵 晴彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-300123
公開番号（公開出願番号）：特開平6-152068
出願日： 1992年11月10日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】コア層とクラッド層との屈折率の差を小さくして、導波される光の電界強度分布の幅を広くすると共に、クラッド層に染み出した光のフリーキャリア吸収を低減することができる半導体光導波路を提供することを目的とする。【構成】本発明による第1の半導体光導波路は、i型コア層10をそのi型コア層10より小さい屈折率をもつpクラッド層とnクラッド層とによって挟んだ単純なp-i-n接合構造ではなく、これらのpクラッド層及びnクラッド層の厚さを薄くしてpクラッド層11及びnクラッド層12とし、且つpクラッド層11及びnクラッド層12の外側に第1及び第2のi型クラッド層13、14を設けている。このため、i型コア層10からpクラッド層11及びnクラッド層12並びに第1及び第2のi型クラッド層13、14に染み出した光は、フリーキャリア吸収が減少して、光損失が低減される。

請求項（抜粋）：

イントリンシックな半導体からなるコア層と、前記コア層の一方の面に接して設けられ、前記コア層より小さい屈折率をもつp型半導体からなる第1のクラッド層と、前記コア層の他方の面に接して設けられ、前記コア層より小さい屈折率をもつn型半導体からなる第2のクラッド層と、前記第1又は第2のクラッド層の前記コア層に接する面と反対側の面に接して設けられ、前記コア層より小さい屈折率をもつイントリンシックな半導体からなる第3のクラッド層と、を有し、導波される光が、前記コア層並びに前記第1、第2及び第3のクラッド層に分布することを特徴とする半導体光導波路。

IPC (6件)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/015 505 ,  H01L 31/10 ,  H01L 31/14 ,  H01L 33/00