ポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-352488
公開番号（公開出願番号）：特開2002-156760
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】サブクォーターミクロンのパターン加工が可能な解像度を持ち、高感度なポジ型感放射線性組成物を得る。【解決手段】a)カルボキシル基を酸脱離基で保護した化合物およびb)放射線の照射によって酸を発生する酸発生剤を含有することを特徴とするポジ型感放射線性組成物であって、a)の酸脱離基が芳香環を3つ以上有することを特徴とするポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法。

請求項（抜粋）：

a)カルボキシル基を酸脱離基で保護した化合物およびb)放射線の照射によって酸を発生する酸発生剤を含有することを特徴とするポジ型感放射線性組成物であって、a)の酸脱離基が芳香環を3つ以上有することを特徴とするポジ型感放射線性組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08L 33/04 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08L 33/04 , H01L 21/30 502 R

Fターム (29件)：

2H025AA00 , 2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AB08 , 2H025AB16 , 2H025AC06 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025FA01 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J002BG041 , 4J002BG051 , 4J002BG071 , 4J002BG081 , 4J002EB116 , 4J002EB126 , 4J002EN136 , 4J002EQ016 , 4J002EU186 , 4J002EV216 , 4J002EV246 , 4J002EV256 , 4J002EV296 , 4J002EV346 , 4J002FD156 , 4J002GP03

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