特許

J-GLOBAL ID：200903013365398909

半導体光集積素子

発明者： 竹内 剛 ,  浜本 貴一 ,  山本 雅子
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-325021
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181350
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 同一半導体基板上に半導体レーザと半導体受光素子を集積化した半導体光集積素子において、漏話の少ない高性能な素子を提供する。【構成】 同一半導体基板上に少なくとも光信号を発するための半導体レーザ9と、光信号を受信するための半導体受光素子8とを集積化した構成の半導体光集積素子において、半導体レーザ、あるいは半導体受光素子、あるいはこれら両方の下部に、半導体レーザの発する光に対して十分大きな吸収係数を持つ半導体遮光層2を持つ。また、半導体レーザおよび半導体受光素子とに挟まれた半導体基板上の一領域に、半導体レーザより発し伝搬してきた光に対して遮光、あるいは反射する半導体メサ構造20Aを持つ。

請求項（抜粋）：

同一半導体基板上に、少なくとも光信号を発する半導体レーザと、光信号を受信する半導体受光素子とを集積化した半導体光集積素子において、前記半導体レーザまたは半導体受光素子、あるいはこれら両方の下部に、前記半導体レーザの発する光に対して十分大きな吸収係数を持つ半導体遮光層を有することを特徴とする半導体光集積素子。

IPC (2件)：

H01L 31/12 ,  H01L 31/16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-162782
  
• 特開昭63-102379
  
• 特開昭62-004385