特許

J-GLOBAL ID：200903013365735530

半導体装置およびその製造方法

発明者： 楠川 喜久雄 ,  茂庭 昌弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-210821
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056139
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】高速動作の単一電子メモリを実現するために、単結晶であって且つ10〜20nm以下の細幅のチャネルを形成する技術を提供する。【解決手段】半導体結晶細線を動作領域として用いる半導体装置において、段差を有する絶縁膜上に半導体結晶薄膜を形成し、その後、これを異方性エッチングすることにより、段差側壁に沿って半導体結晶細線を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体結晶細線を動作領域として用いる半導体装置において、段差を有する絶縁膜上に半導体結晶薄膜を形成し、その後、これを異方性エッチングすることにより、段差側壁に沿って半導体結晶細線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。