特許

J-GLOBAL ID：200903013377438256

高周波増幅モジュール

発明者： 野田 昇
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-237610
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094961
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、各段のFETに対してそれぞれ独立してゲートバイアス電圧を設定することにより各段ごとにアイドル電流の最適化を図り、効率ならびに歩留りの向上を達成し得る高周波増幅モジュールを提供することを目的とする。【構成】 この発明は、バイアス電源間に直列接続されたバイアス抵抗b1 〜bn ,c1 〜cn の直列接続点から1つの取り出し抵抗a1 〜an を介して増幅回路のFETTr1〜Trnのゲート端子に、バイアス抵抗b1 〜bn ,c1 〜cn の分圧により設定されるゲートバイアス電圧を供給するゲートバイアス回路が、バイアス電源を共通として独立に複数設けられて構成される。

請求項（抜粋）：

ドレイン端子を共通端子として取り出す複数のFET(電界効果トランジスタ)を有する複数段の高周波回路と、バイアス電源間に直列接続されたバイアス抵抗の直列接続点から1つの取り出し抵抗を介して高周波回路のFETのゲート端子に、バイアス抵抗の分圧により設定されるゲートバイアス電圧を供給するゲートバイアス回路を有し、ゲートバイアス回路が、バイアス電源を共通として独立に複数設けられてなることを特徴とする高周波増幅モジュール。

IPC (2件)：

H03F 3/193 ,  H03F 3/68

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-313905
  
• 特開昭60-089108
  
• 特開平4-313905
  
• 特開昭60-089108