特許
J-GLOBAL ID:200903013380022168
絶縁膜用コーティングワニス及び絶縁膜
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-128443
公開番号(公開出願番号):特開2001-311044
出願日: 2000年04月27日
公開日(公表日): 2001年11月09日
要約:
【要約】【課題】 半導体用途において、熱特性、電気特性、物理特性及び機械特性のすべてに優れ、特に、誘電率の極めて低い耐熱性の絶縁膜を提供する。【解決手段】(1)一般式(A)で表わされる繰り返し単位を有する、ポリベンゾオキサゾール前駆体の1種または2種以上、(2)熱分解温度が、200°C〜400°Cの有機化合物、および、(3)上記(1)及び(2)を同時に溶解もしくは分散する事が可能な有機溶媒、からなるコーティング用ワニスを調製し、フィルム化する (一般式(A)中、nは0〜1000の整数、R1〜R4は、Hまたは一価の有機基で、Xは式(B)、Yは式(C)、およびZ1,Z2は式(D)で表される構造より、それぞれ選ばれる基を示す。)【化1】
請求項(抜粋):
(1)一般式(A)で表わされる繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体の1種または2種以上、(2)熱分解温度が、200°C〜400°Cの有機化合物、および、(3)上記(1)及び(2)を同時に溶解もしくは分散する事が可能な有機溶媒、からなることを特徴とする、絶縁膜を作製する事が可能なコーティング用ワニス。【化1】式(A)中、nは0〜1000の整数を示す。R1〜R4は、Hまたは一価の有機基で、Xは式(B)、Yは式(C)、およびZ1,Z2は式(D)で表される構造より、それぞれ選ばれる基を示す。【化2】【化3】式中、X1は式(E)で表される構造より選ばれる基を示し、これらの構造中、ベンゼン環上の水素原子は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、フッ素原子、トリフルオロメチル基、およびトリフルオロエチル基からなる群から選ばれる、少なくとも1個の基で置換されていてもよい。【化4】【化5】
IPC (8件):
C09D179/04
, C08G 73/22
, C09D125/08
, C09D133/12
, C09D171/02
, H01L 21/312
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (9件):
C09D179/04
, C08G 73/22
, C09D125/08
, C09D133/12
, C09D171/02
, H01L 21/312 A
, H01L 21/312 D
, H01L 23/30 R
, H01L 23/30 D
Fターム (112件):
4J038CC082
, 4J038CG142
, 4J038DF012
, 4J038DJ001
, 4J038JA27
, 4J038JA57
, 4J038JA61
, 4J038JB14
, 4J038JB27
, 4J038JC11
, 4J038KA06
, 4J038LA03
, 4J038MA06
, 4J038MA09
, 4J038NA11
, 4J038NA14
, 4J038NA21
, 4J038PA18
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 4J038PC08
, 4J043PA02
, 4J043PA04
, 4J043PA19
, 4J043PB05
, 4J043QB15
, 4J043QB23
, 4J043QB34
, 4J043RA52
, 4J043SA06
, 4J043SA43
, 4J043SA54
, 4J043SA71
, 4J043SB01
, 4J043SB02
, 4J043TA11
, 4J043TA12
, 4J043TA47
, 4J043TA66
, 4J043TA67
, 4J043TA71
, 4J043TA72
, 4J043TB01
, 4J043TB02
, 4J043UA032
, 4J043UA042
, 4J043UA052
, 4J043UA121
, 4J043UA122
, 4J043UA131
, 4J043UA132
, 4J043UA151
, 4J043UA221
, 4J043UA231
, 4J043UA262
, 4J043UB021
, 4J043UB022
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, 4J043UB062
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, 4J043UB122
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, 4J043UB301
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, 4J043UB401
, 4J043UB402
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, 5F058AA10
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, 5F058AF06
, 5F058AG01
, 5F058AH02
, 5F058AH03
, 5F058AH10
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