成膜方法及び該成膜方法により製造された膜

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸島儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-328188
公開番号（公開出願番号）：特開平11-158620
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：

【要約】【課題】成膜中の異常放電を防止して、高品質な膜を高スループットで成膜する。【解決手段】ターゲットにDC電力と高周波電力を重畳印加してスパッタリングを行なう成膜方法において、該高周波電力の供給のみを周期的に停止し、該高周波電力の供給時間を異常放電発生時間よりも短くする。

請求項（抜粋）：

ターゲットにDC電力と高周波電力を重畳印加してスパッタリングを行なう成膜方法において、該高周波電力の供給のみを周期的に停止し、該高周波電力の供給時間を異常放電発生時間よりも短くしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , C23C 14/08 , H01B 13/00 503

FI (3件)：

C23C 14/34 S , C23C 14/08 D , H01B 13/00 503 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

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審査官引用 (5件)

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