特許
J-GLOBAL ID：200903013382538226
成膜方法及び成膜装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-248292
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087341
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 平坦性や膜厚制御性等に優れた成膜を可能とする。【解決手段】 シリコンを含むガスを基板1表面に供給してシリコンを含む物質6を吸着させる工程と、窒素ラジカルを含むガスを基板表面に供給してシリコンと窒素とを反応させシリコン窒化膜5a、5bを形成する工程とを、それぞれ複数回交互に行う。シリコンを含む物質を吸着させる工程はシリコンと窒素との反応が飽和した後に行う。
請求項（抜粋）：
第1の元素を含むガスを試料表面に供給して少なくとも第1の元素を含む物質を試料表面に吸着させる工程と、この第1の元素を含む物質が吸着した試料表面に第2の元素を含むガスを供給して第1の元素と第2の元素とを反応させ第1の元素と第2の元素との反応物層を試料表面に形成する工程とをそれぞれ複数回交互に行い、かつ、前記第1の元素を含む物質を吸着させる工程は前記第1の元素と第2の元素との反応が飽和状態に達した後に行うことを特徴とする成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 X
, H01L 21/31 B
