特許

J-GLOBAL ID：200903013385048831

複合基板の回路形成方法及び複合基板

発明者： 恒松 裕之 ,  小宮 聖士
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078796
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280705
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 窒化物を主成分としたセラミック基板を用いた複合基板に、製作費を抑制しつつ、効率的で信頼性高く回路を形成する方法を提供する。【解決手段】 窒化物を主成分としたセラミック基板に金属で回路が形成された複合基板の回路形成方法であって、窒化物を主成分としたセラミック基板に、Tiを含んだろう材を介して金属を接合し、非回路部分の導体部材を機械加工で除去して回路を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

窒化物を主成分としたセラミック基板に金属で回路が形成された複合基板の回路形成方法であって、窒化物を主成分としたセラミック基板に、Tiを含んだろう材を介して金属を接合し、非回路部分の導体部材を機械加工で除去して回路を形成することを特徴とする複合基板の回路形成方法。

IPC (2件)：

H05K 3/04 ,  C04B 37/02

FI (3件)：

H05K 3/04 A ,  H05K 3/04 D ,  C04B 37/02 B

Fターム (12件)：

4G026BA16 ,  4G026BA17 ,  4G026BB22 ,  4G026BF11 ,  4G026BH07 ,  5E339AB06 ,  5E339AD01 ,  5E339BC02 ,  5E339BD03 ,  5E339BD11 ,  5E339BE01 ,  5E339GG01