特許
J-GLOBAL ID：200903013385464207
プリント配線基板及びプリント配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-066560
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249855
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 安価、且つ、能率的に製造でき、高い性能、品質を長期間維持できるプリント配線基板及びその製造方法を提供する。【構成】 プリント配線基板用基材1と、導電パターン部2と、めっき部3と、を備え、めっき部3を導電パターン部2の表面に接触する下地層31と、貴金属(Au等)の上地層33と、これらに挟まれた部分に配置され、二層以上の金属層321、322により形成される中間層32と、を備えた多層構造とし、この各金属層のうちの少なくとも1組の隣合う2層の金属層のうちで、上地層33に近い側の上側金属層322を構成する金属(Ni等)のイオン化傾向を、下地層31に近い側の下側金属層321を構成する金属(Pd等)のイオン化傾向よりも大きくする。
請求項（抜粋）：
フィルム状のプリント配線基板用基材と、該プリント配線基板用基材の少なくとも表裏一方の面に形成される導電パターン部と、該導電パターン部を被覆するめっき部と、を備えるプリント配線基板において、上記めっき部を、上記導電パターンの表面に直接接触する位置に配置される下地層と、該めっき部の表面及び表面側部分を構成し、貴金属よりなる上地層と、該下地層及び該上地層により挟まれた部分に配置され、二層以上の金属層により形成される中間層と、を備えた多層構造とし、上記中間層を形成する各金属層のうちの少なくとも1組の隣合う2層の金属層のうちで、上記上地層に近い側の上側金属層を構成する金属のイオン化傾向を、上記下地層に近い側の下側金属層を構成する金属のイオン化傾向よりも大きくしたことを特徴とするプリント配線基板。
IPC (2件)：
引用特許：
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