特許
J-GLOBAL ID：200903013385793243
配線形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215178
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055211
出願日： 1991年08月27日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 ガラス基板における配線形成方法を改良する。【構成】 ガラス基板にマスク材をコーティングし、パターンニングによって選択的にガラス基板を露出させる第1の工程と、エッチングにより露出したガラス基板に凹溝を形成する第2の工程と、配線材料を堆積し、マスク材を除去することにより、第1層配線を形成する第3の工程と、全面に絶縁膜を形成する第4の工程と、所定パターンの第2層配線を絶縁膜上に形成する第5の工程とを備える。
請求項（抜粋）：
ガラス基板にマスク材をコーティングし、パターンニングによって選択的に前記ガラス基板を露出させる第1の工程と、エッチングにより前記露出したガラス基板に凹溝を形成する第2の工程と、配線材料を堆積し、前記マスク材を除去することにより、第1層配線を形成する第3の工程と、全面に絶縁膜を形成する第4の工程と、所定パターンの第2層配線を前記絶縁膜上に形成する第5の工程とを備えることを特徴とする配線形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28
, H01L 27/12
, H01L 29/784
H01L 21/88 A
, H01L 21/88 K
, H01L 29/78 311 A
