特許
J-GLOBAL ID：200903013386051313
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-111508
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321150
出願日： 1994年05月25日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体チップと配線基板とを接続するバンプ電極の特性インピーダンスを制御する技術を提供する。【構成】 パッケージ基板1の主面上に複数個重ねたバンプ電極14,16を介して半導体チップ2をフェイスダウンボンディングしたLSIパッケージにおいて、上記複数個のバンプ電極14,16の間に絶縁テープ17と、この絶縁テープ17の両面に形成された一対の導体パターン18a,18bとで構成される容量素子を配置し、この容量素子の一方の電極を信号用のバンプ電極に、他方の電極をGND用のバンプ電極にそれぞれ接続する。
請求項（抜粋）：
配線基板の主面上に複数個重ねたバンプ電極を介して半導体チップをフェイスダウンボンディングした半導体集積回路装置であって、前記複数個のバンプ電極の間に容量素子を配置し、前記容量素子の一方の電極を信号用のバンプ電極に、他方の電極をGND用のバンプ電極にそれぞれ接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/12
