特許
J-GLOBAL ID：200903013390028806
回路パターンの製造方法及び装置とこの方法による集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀田 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-063665
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264444
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 製作が困難でありかつ変更が不可能な回路用のマスクを用いることなく、少ない製造工程で強固な回路パターンを形成することができる回路パターンの製造方法及び装置とこの方法による集積回路を提供する。【構成】 真空チャンバー22内に金属プラズマを形成し、電界により金属プラズマから金属イオンビーム38を発生させるイオンビーム発生装置20と、磁界により金属イオンビームを細く絞る電子レンズ12と、偏向電界により金属イオンビームを偏向させ基板1の所定位置に照射する偏向装置14とを備え、これにより基板1上に導電性金属膜2を形成する。
請求項（抜粋）：
真空チャンバー内に金属プラズマを形成し、電界により金属プラズマから金属イオンビームを発生させ、磁界により金属イオンビームを細く絞り、偏向電界により金属イオンビームを偏向させて基板の所定位置に照射し、これにより基板上に導電性金属膜を形成する、ことを特徴とする回路パターンの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C23C 14/32
, H01L 21/285
, H05H 1/46
H01L 21/203 M
, C23C 14/32 F
, H01L 21/285 B
, H05H 1/46 A
