特許
J-GLOBAL ID：200903013390649851
基板上に物質層を堆積する方法およびめっきシステム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-150548
公開番号（公開出願番号）：特開平10-330991
出願日： 1998年05月14日
公開日（公表日）： 1998年12月15日
要約：
【要約】【課題】 めっき処理において堆積される層を均一化する電気めっきシステムおよび方法を提供する。【解決手段】 電気めっきシステム(30)および方法は、めっき処理の間、半導体素子基板(20)の表面全体における電流密度の均一性を高めることにより、導電性物質の堆積の均一性向上、または、堆積の調整を可能にする。電流密度モディファイア(364,37)が、基板の縁部付近における電流密度を低下させる。この電流密度低下により、めっきの均一性向上、即ち、基板(20)の中心付近にめっきする物質を増加させる調整が可能となる。また、本システムは、ヘッド(35)の部分を全く分解せずに構造(36)上の電流密度モディファイア部分を取り外したり、この構造をシステムから取り外すような改造も可能である。現場におけるクリーニングにより、機器のダウンタイム量削減,機器の長寿命化,粒子数減少を図る。
請求項（抜粋）：
基板(20)上に物質層(56)を堆積する方法であって:コンテナ(32);前記コンテナ(32)内にある第1電極(34);前記基板(20)に電気的に接続された第2電極(362);導体または電流密度モディファイアである第1構造(364,37)であって、前記基板(20)からある距離だけ離間され、前記第2電極(362)の幅よりも広い幅を有し、かつ前記第2電極(362)に比較して、前記第1電極(34)に向かって更に延出する第1構造(364,37);およびイオン液体(39)であって、前記第1電極(34),前記第2電極(362),前記基板(20)および前記第1構造(364,37)と接触するイオン液体(39);を含むめっきシステム(30)内に前記基板(20)を配置する段階;前記第1電極(34)を第1電位とし、前記第2電極(362)を第2電位とし、前記第1構造(364,37)を第3電位とする段階であって、前記物質層(56)を前記基板(20)上に堆積し、前記第1電位は前記第2および第3電位とは異なり、前記第2および第3電位は実質的に同一電位であるところの段階;ならびに前記基板(20)を前記めっきシステム(30)から取り出す段階;から成ることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C25D 7/00 J
, H01L 21/288 E
