特許

J-GLOBAL ID：200903013393772999

プラズマ処理装置

発明者： 上田 庸一 ,  小美野 光明
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060988
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252101
出願日： 1993年02月24日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 処理室の下方側のマッチングボックスと処理室とを同軸ケーブルに代わる二重管構造の高周波給電棒により接続してなるプラズマ処理装置において、高周波給電棒内の結露を防止して絶縁性の確保と腐食の抑制とを図ること。【構成】 高周波給電棒4の例えば内部導体棒41に抵抗発熱線61を巻装し、サセプタ支持台2の設定温度に影響を与えない程度に高周波給電棒4を加熱する。また高周波給電棒4の下端に受け皿64を冠着して水滴がマッチングボックス5に流れ落ちないように構成し、更に受け皿64に仕切り壁65を設けて、溜り水による内部導体棒41と外部導体管42との間の短絡を防止する。更にまた内部導体棒41と外部導体管42との間を低露点ガス雰囲気としても同様の効果が得られる。

請求項（抜粋）：

処理室内にて下部電極と上部電極との間に高周波電力を供給して処理ガスをプラズマ化し、このプラズマにより下部電極上の被処理体を処理するプラズマ処理装置において、下端側が高周波電源に電気的に接続され、前記処理室の下方側から下部電極まで設けられた内部導体棒と、下端側が接地され上端側が処理室の底部に接続された外部導体管とよりなる二重管構造の高周波給電棒と、この高周波給電棒を加熱するための加熱手段と、を備えてなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-107484
  
• 特開平1-225121
  
• 特開平2-121330
  
• 特開平4-078133
  
• 特開平3-093225