特許

J-GLOBAL ID：200903013396173298

半導体製造方法及び装置とこれらを用いた半導体デバイス

発明者： 守田 俊章 ,  梶原 良一 ,  小泉 正博 ,  高橋 和弥 ,  西村 朝雄 ,  秋山 雪治 ,  下石 智明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-025801
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223535
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ICチップ上に形成した複数の電極とインナーリードとを加熱下で重ね合せ、ボンディングツールにより押圧し、超音波加振して冶金学的に接続するボンディング装置において、超音波振動方向に対してどのような方向に向いたリードに対しても高接合強度が実現でき、また、ボンディングツール破損によるボンディング不良を未然に防ぐことができ、かつボンディングダメージを無くすことができる装置を提供する。【解決手段】ボンディングツールをICチップ上の電極面に対して垂直方向に超音波振動させる。

請求項（抜粋）：

半導体素子上に形成した電極と前記半導体素子外の電極、或いは配線とを、導線、または導電性突起物を介して、或いは導線、または導電性突起物を介さずに直接接続する超音波を併用した半導体製造方法において、超音波を前記半導体素子上に形成した電極面に対して垂直方向に振動させて接続することを特徴とした半導体製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/607

FI (4件)：

H01L 21/60 311 T ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/607 B ,  H01L 21/607 C

Fターム (4件)：

5F044NN07 ,  5F044NN10 ,  5F044PP01 ,  5F044PP02