特許

J-GLOBAL ID：200903013397018989

ケイ素質多孔体、ケイ素質粉末およびその製造方法

発明者： 福岡 憲治
出願人/特許権者： 株式会社フッコ・ ,  西松建設株式会社
代理人 (1件)： 間山 進也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-260630
公開番号（公開出願番号）：特開2002-066231
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月05日
要約：

【要約】【課題】 多孔質体の汚染物質除去能力を向上させ、さらにこの汚染物質除去能力を長期間にわたって維持することが可能なケイ素質多孔体、ケイ素質粉末およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体特性を有するシリコンと、金属シリコンとを含有するケイ素質多孔体を提供する。このケイ素質多孔体は、さらに半導体特性を有する粒状のシリコン5〜60質量%と、粒状の金属シリコン40〜95質量%とを含有することができ、体積抵抗率が0.1Ωm〜500Ωmとされている。

請求項（抜粋）：

半導体特性を有するシリコンと、金属シリコンとを含有し、体積抵抗率が0.1Ωm〜500Ωmであるケイ素質多孔体。

IPC (3件)：

B01D 39/20 ,  B22F 3/11 ,  B22F 3/26

FI (3件)：

B01D 39/20 Z ,  B22F 3/11 A ,  B22F 3/26 F

Fターム (15件)：

4D019AA01 ,  4D019BA03 ,  4D019BA05 ,  4D019BB06 ,  4D019BC05 ,  4D019CA00 ,  4K018AA40 ,  4K018AB01 ,  4K018AB07 ,  4K018BC08 ,  4K018BC12 ,  4K018CA11 ,  4K018DA11 ,  4K018DA31 ,  4K018KA22