特許

J-GLOBAL ID：200903013403339822

シリコン半導体ウエハの回転エッチング方法

発明者： 佐藤 茂樹
出願人/特許権者： 直江津電子工業株式会社
代理人 (1件)： 早川 政名 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-357876
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186214
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 大口径ウエハであってもウエハの平坦度を確保するためのウエハとエッチング液の反応の一様性を維持することができるエッチング方法を提供することにある。【解決手段】 エッチング槽31内のキャリア30内に鉛直に保持したウエハWを、隣同士を互いに逆方向に回転させながらエッチングする。

請求項（抜粋）：

キャリアに鉛直に保持した複数枚のシリコン半導体ウエハを、所要の混合酸からなるエッチング液を循環供給させたエッチング槽に所要時間浸漬し、所要のエッチング代を除去するエッチング方法において、キャリア内に鉛直に保持したウエハを、隣同士を互いに逆方向に回転させながらエッチングすることを特徴とするシリコン半導体ウエハのエッチング方法。