特許
J-GLOBAL ID：200903013404416529
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-185961
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005807
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 トランジスタの拡散層と半導体基板との間の接合リークを少なくして、メモリセルのデータ保持特性を向上させる。【構成】 フィールド酸化膜であるSiO2 膜14のうちで、メモリセルを構成するキャパシタ18に接続されているトランジスタ16の一方の拡散層17を囲むバーズビーク部が除去されている。このため、バーズビーク部とSi基板11との界面における応力集中部がなく、拡散層17を囲む部分の界面準位の密度が低い。従って、この部分における発生・再結合中心の密度も低く、発生・再結合中心を介した拡散層17とSi基板11との間の接合リークが少ない。
請求項（抜粋）：
トランジスタとキャパシタとでメモリセルが構成されている半導体記憶装置において、前記トランジスタの拡散層を囲んでいるフィールド酸化膜のうちで少なくともバーズビーク部が除去されていることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
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