特許

J-GLOBAL ID：200903013407235088

メッキ処理方法及びメッキ処理装置

発明者： 大加瀬 亘 ,  松尾 剛伸
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-174448
公開番号（公開出願番号）：特開2001-316890
出願日： 2000年05月08日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 処理液と被処理基板の被処理面との間に形成される泡を確実に泡抜きすることができるメッキ処理方法及びメッキ液処理装置を提供する。【解決手段】 メッキ処理ユニットM1内にはメッキ液槽42の真上にウエハWを保持してウエハWを略水平面内で回転させるドライバ61が配設されており、このドライバ61にはドライバ61を略水平に移動させるシリンダ67が取り付けられている。ウエハWの被メッキ面をメッキ液の液面に接触させた状態でこのシリンダ67の駆動させてドライバ61をメッキ液槽42の中心軸上にあるメッキ位置(IV)からメッキ液槽の中心から偏心した位置(V)に略水平に移動させるとともにウエハWを回転させてウエハWの被メッキ面に付着した泡を泡抜きする。

請求項（抜粋）：

被処理基板に対して所定の電解メッキ処理を可能に、かつ、メッキ処理液を貯留可能に構成された処理槽と、前記被処理基板に対して接触するように構成されたカソード電極と、前記処理槽内に配置されたアノード電極と、を備えたメッキ処理装置を用いてメッキ処理を施すメッキ処理方法であって、前記処理槽内に収容された処理液の液面に、被処理基板の被処理面を接触させた状態で、かつ、前記被処理基板を前記処理槽の中心軸から偏心した位置で、被処理基板を第1の回転速度で回転させる工程と、前記被処理基板の被処理面にメッキ処理を施す工程と、を具備することを特徴とするメッキ処理方法。

IPC (6件)：

C25D 21/10 302 ,  C25D 5/08 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/00 ,  C25D 17/06 ,  H01L 21/288

FI (6件)：

C25D 21/10 302 ,  C25D 5/08 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/00 H ,  C25D 17/06 C ,  H01L 21/288 E

Fターム (13件)：

4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024BC06 ,  4K024CA15 ,  4K024CA16 ,  4K024CB13 ,  4K024CB26 ,  4K024DB10 ,  4K024GA16 ,  4M104DD52 ,  4M104HH20