特許
J-GLOBAL ID：200903013407649702
可変な結合係数及び漏洩インダクタンスを有するトランス及びこれを用いた高周波回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 元彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243799
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151210
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【発明の構成】 磁路を形成する磁気媒体、前記磁路に沿って異なる位置にて前記磁路を取り囲む2以上の巻線、及び前記磁気媒体及び巻線の近傍に配置されて前記磁気媒体及び巻線から発する磁束を閉じ込め且つ抑制する導電媒体を含むトランス。【発明の作用】 漏洩インダクタンスの値を制御して分離巻線による利点を得ることが出来る。導電媒体は、例えば、ゼロ電流スイッチングパワーコンバータに用いられるトランスのために漏洩インダクタンスを低減させるように形成され、分離された巻線を有し、前記低減は少なくとも25%であり、更に例えば、PWMパワーコンバータに用いられる低漏洩インダクタンストランスを得るために少なくとも75%の漏洩インダクタンスの低減をなすように導電媒体を形成する。
請求項（抜粋）：
磁路を形成する磁気媒体と前記磁路に沿って異なる位置にて前記磁路を囲む2以上の巻線とからなる電磁カプラーと前記電磁カプラーの近傍に配置されて前記電磁カプラーから発する磁束が閉じ込められる境界を画定して前記巻線の少くとも1の漏洩インダクタンスを少なくとも25%低減せしめる導電媒体とからなるトランスと、前記巻線の少なくとも1に結合して100KHzより高い動作周波数にて変化する電流を生ぜしめる回路とからなることを特徴とする高周波回路。
IPC (3件)：
H01F 31/00
, H01F 21/12
, H02M 3/28
