特許
J-GLOBAL ID：200903013410784769
ITOシリンドリカルターゲットおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224058
公開番号（公開出願番号）：特開平10-068072
出願日： 1996年08月26日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】 焼結法を用いた従来の品質の優れた平板状ITOターゲットと同程度の品質すなわち密度、粒径、バルク抵抗などをもつITOシリンドリカル(円筒状または円柱状)ターゲットを得る。【解決手段】 ITOスパッタリングターゲットにおいて、直径40mm以上の円筒状または円柱状支持体上表面にITO層が形成され、該ITO層の厚さが3mm以上、長さ500mm以上であり、かつ該ITO層は長さ方向および周方向につなぎ目が存在せず一体となっており、該ITO層の密度が5.0g/cm3 以上、かつITO層中の酸素含有量が理論値の97%〜100%であることを特徴とするITOシリンドリカルターゲット。
請求項（抜粋）：
ITOスパッタリングターゲットにおいて、直径40mm以上の円筒状または円柱状支持体上表面にITO層が形成され、該ITO層の厚さが3mm以上、長さ500mm以上であり、かつ該ITO層は長さ方向および周方向につなぎ目が存在せず一体となっており、該ITO層の密度が5.0g/cm3 以上、かつITO層中の酸素含有量が理論値の97%〜100%であることを特徴とするITOシリンドリカルターゲット。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C23C 14/34 A
, C23C 14/34 B
, C23C 4/06
