特許

J-GLOBAL ID：200903013410813220

気相成長装置のガス吹き出し部

発明者： 松枝 敏晴 ,  山内 敦典 ,  野口 哲男 ,  清見 和正 ,  三田 一登 ,  塚本 佳明
出願人/特許権者： 古河機械金属株式会社
代理人 (4件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼ ,  宮崎 忠之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-336630
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172386
出願日： 2002年11月20日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】サセプター上に供給される原料ガスの濃度を、サセプター面上の場所ごとに変えることができ、取り込み率の異なる原料の導入量のバランスや導入位置を変えることで分布の均一なエピタキシャル膜を得る。【解決手段】成長チャンバー1内に基板2を取付ける回転自在のサセプター3と、サセプター3を加熱するヒーター4を備え、成長チャンバー1内に第一ガス、第二ガス及びキャリアーガスを導入して基板2にエピタキシャル成長をさせる気相成長装置において、成長チャンバー1の上部に、サセプター3の回転軸5を中心とする円弧状の互いに隔離された第一ガスの流路17、第二ガスの流路17及びキャリアーガスの流路18をそれぞれ径方向に複数路配置し、各流路16、17、18には個別にガスの入口21、22、23を設けると共に、それぞれガスの出口を設ける。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

成長チャンバー内に一枚以上の基板を取付けることのできる回転自在のサセプターと、サセプターを加熱するための加熱手段とを備え、成長チャンバー内に第一ガス、第二ガス及びキャリアーガスを導入して基板にエピタキシャル成長をさせる気相成長装置において、 成長チャンバーの上部に、サセプターの回転軸をおおよそ中心とする円弧状の互いに隔離された第一ガスの流路、第二ガスの流路及びキャリアーガスの流路をそれぞれ径方向に複数路配置し、前記各流路には個別にガスの入口を設けると共に、それぞれ複数のガスの出口を設けたことを特徴とする気相成長装置のガス吹き出し部。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/455

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/455

Fターム (26件)：

4K030AA05 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA25 ,  4K030CA04 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA45 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045BB01 ,  5F045BB04 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045DP27 ,  5F045EB02 ,  5F045EE12 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EF13 ,  5F045EJ01 ,  5F045EK24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• CVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-060219   出願人：株式会社荏原製作所
• 化学蒸着に関する改良
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-147781   出願人：トーマススワンアンドカンパニーリミテッド