特許
J-GLOBAL ID：200903013411352080
半導体装置のリペア方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044549
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243288
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 隣接して実装されている半導体装置の接着剤に悪影響を与えることなくリペア時に発生する接着剤残渣を除去する。【構成】 不良半導体装置1を加熱して剪断応力によって除去する。基板2上の接着剤残渣7の周囲を取り囲むリムーバ流出防止枠8を水溶性接着剤9で取り付ける。そうした後、リムーバ流出防止枠8内にリムーバ10を塗布して接着剤残渣7を溶解あるいは膨潤させる。そして、水洗によって、水溶性接着剤9,リムーバ流出防止枠8,リムーバ10および接着剤残渣7を一挙に除去する。このように、接着剤残渣7の周囲をリムーバ流出防止枠8によって囲むことによって、隣接して実装されている半導体装置の接着剤に悪影響を与えることなくリペア時に発生する接着剤残渣を除去できる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の電極と基板の電極とを接着剤によって接続する実装方法によって基板上に実装された半導体装置のリペア方法であって、半導体装置を除去した後の接着剤残渣の周囲を取り囲む枠を水溶性接着剤による接着によって設ける工程と、上記枠内にリムーバを塗布した後、水洗によって上記水溶性接着剤,枠,リムーバおよび接着剤残渣を除去する工程と、再度半導体装置を実装する工程を備えたことを特徴とする半導体装置のリペア方法。
IPC (2件)：
H01L 21/52
, H01L 21/60 321
