特許
J-GLOBAL ID：200903013418640146
低速陽電子ビーム発生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西岡 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-243223
公開番号（公開出願番号）：特開平9-090097
出願日： 1995年09月21日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 低速陽電子ビーム発生装置において、低速陽電子の引き出し効率を高め、質の良い低速陽電子ビームを発生させることができるようにする。【解決手段】 陽電子源1から発生した白色の陽電子が、陽電子減速材2に入射し、陽電子減速材2から低速陽電子が放出される。再放出された低速陽電子のうち陽電子減速材2の中心部付近から発生したものは、コイル3によって形成された磁場の作用によって中心軸に集束されつつ、陽電子源1と陽電子減速材2との間に加えられた電位差によって陽電子源1の方向に加速され、陽電子源の中心にある貫通孔1eを通過して所定のエネルギーの陽電子ビームとして出力される。
請求項（抜粋）：
白色陽電子を発生させる陽電子源と、白色陽電子を低速陽電子に変換する減速材とを対向して設置し、陽電子源からの白色陽電子を減速材に入射させ、減速材から放出される低速陽電子を陽電子源側の方向へ出力する装置において、前記陽電子源に低速陽電子を引き出すための貫通孔を設けたことを特徴とする低速陽電子ビーム発生装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G21K 1/00 E
, G21K 1/10 A
