特許

J-GLOBAL ID：200903013419681970

化学機械研磨方法及び化学機械研磨装置

発明者： 菅井 和己
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-009447
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203178
出願日： 2000年01月18日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハに半導体装置の配線を形成する時、配線溝以外の層間絶縁膜上に堆積した不要なバリアメタルを研磨する際、配線溝に形成した銅配線でのディッシングやリセスの発生を低減でき、また密パターンな銅配線間の層間絶縁膜でのエロージョンの発生を低減できる化学機械研磨方法及び化学機械研磨装置を提供する。【解決手段】本発明の化学機械研磨方法は、プラテン(研磨定盤)1の研磨パッド2上にスラリー(研磨液)5を滴下すると共に銅イオン溶液7を滴下しながら、半導体ウエハ11に形成したバリアメタルを研磨する。本発明の化学機械研磨装置は、プラテン(研磨定盤)1の研磨パッド2上にスラリー(研磨液)5を滴下するスラリー供給ライン4と銅イオン溶液7を滴下する銅イオン溶液供給ライン6とを備えた。

請求項（抜粋）：

研磨パッドを主面に貼った研磨定盤を回転させ、被研磨物を保持するヘッドを回転させながら前記研磨定盤の主面に貼り付けられた前記研磨パッドに加圧して前記被研磨物の表面を押し付け、前記研磨パッド上に研磨液を滴下しながら、前記ヘッドに保持された前記被研磨物の表面を研磨する化学機械研磨方法において、銅イオンを含む溶液を前記研磨パッド上に前記研磨液を滴下すると同時に滴下しながら、前記被研磨物の表面を研磨することを特徴とする化学機械研磨方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00

FI (2件)：

H01L 21/304 622 C ,  B24B 37/00 H

Fターム (8件)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CA04 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 研磨スラリー、基板の研磨装置及び基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-332552   出願人：松下電器産業株式会社