特許
J-GLOBAL ID：200903013425456229
固体撮像装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-002962
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209100
出願日： 1993年01月12日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：
【要約】【目的】 暗電流が低減され、且つ分光特性とスメアが改善された固体撮像装置を提供する。【構成】 シリコン基板1に電荷転送領域2,光電変換領域3等を形成し、転送電極6,遮光用Al膜9を形成した後、全面にPE-SiO2膜11,PE-SiN膜10を堆積させる。次に、熱処理を行った後、PE-SiN膜10を除去する。熱処理によりシリコン基板1のセンサ領域は水素化され暗電流が低減される。また、PE-SiO2膜11は屈折率が小さいため、分光特性及びスメアが改善される。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成されたセンサ領域上に、屈折率の小さい保護絶縁膜が積層され、且つ該センサ領域には水素が含有されていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 B
, H01L 27/14 D
