ネガ型レジスト材料、それを用いたパターン形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-343262
公開番号（公開出願番号）：特開平11-174677
出願日： 1997年12月12日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】ドライエッチング耐性、透明性に優れ半導体素子製造に必要な微細パターン形成が可能なネガ型レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】一般式(1)で表される重量平均分子量1000〜500000重合体、及び多価アルコール、及び露光により酸を発生する光酸発生剤を少なくとも含有することを特徴とする。【化1】(上式において、R<SP>1</SP> ,R<SP>3</SP> ,R<SP>5</SP> は、水素原子あるいはメチル基、R<SP>2</SP> は有橋環式炭化水素基を有する炭素数7〜18の2価の炭化水素基、R<SP>4</SP> はエポキシ基を有する炭化水素基、R<SP>6</SP> は水素原子あるいは炭素数1〜12の炭化水素基を表す。またx,y及びzはそれぞれx+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0≦z<1を満たす任意の数である。)

請求項（抜粋）：

一般式(1)で表される重量平均分子量1000〜500000の重合体、及び多価アルコール、及び露光により酸を発生する光酸発生剤を少なくとも含有することを特徴とするネガ型レジスト材料。【化1】(上式において、R<SP>1</SP> ,R<SP>3</SP> ,R<SP>5</SP> は、水素原子あるいはメチル基、R<SP>2</SP> は有橋環式炭化水素基を有する炭素数7〜18の2価の炭化水素基、R<SP>4</SP> はエポキシ基を有する炭化水素基、R<SP>6</SP> は水素原子あるいは炭素数1〜12の炭化水素基を表す。またx,y及びzはそれぞれx+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0≦z<1を満たす任意の数である。)

IPC (5件)：

G03F 7/038 601 , C08F220/18 , C08G 59/32 , C08G 59/40 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/038 601 , C08F220/18 , C08G 59/32 , C08G 59/40 , H01L 21/30 502 R

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