特許

J-GLOBAL ID：200903013430706314

半導体装置の製造方法

発明者： 中岡 弘明 ,  橋本 伸 ,  水野 文二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-144720
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340106
出願日： 1995年06月12日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 シリサイド膜厚が薄くても表面凹凸が無く、細線においても断線が発生しない均一性の良いシリサイド膜を提供するものである。【構成】 半導体基板に素子分離領域を形成する工程と、半導体基板の素子形成領域をエッチングして111方位面を露出させる工程と、エッチングの後に半導体基板表面に金属膜を形成する工程と、熱処理により金属膜を素子領域内の半導体基板と反応させて半導体と金属の合金を形成する工程とを有する構成となっている。【効果】 シリサイド膜厚が薄くても表面凹凸が無く、細線においても断線が発生しない均一性の良いシリサイド膜を提供することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に素子分離領域を形成する工程と、前記半導体基板の素子形成領域をエッチングして111方位面を露出させる工程と、前記エッチングの後に前記半導体基板表面に金属膜を形成する工程と、熱処理により前記金属膜を前記素子領域内の半導体基板と反応させて半導体と金属の合金を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 301

FI (4件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 Q