光結合デバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-299624
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114767
出願日： 1991年10月21日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】複数のデバイスを集積化した機能素子間を低損失で光結合をとる。【構成】 InP半導体基板401の(100)面上にSiO2 選択成長マスク413を形成する。このとき、マスク間隙のストライプ方向(光導波路の光伝搬方向)を[011]方向に設定する。次にクラッド層408を厚さtc だけエピタキシャル成長法により選択成長させる。さらにコアー層409を成長させる。選択成長マスク413を除去した後、半導体基板401の全面にクラッド層410を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁体よりなる選択成長マスクが形成された半導体基板上に行う少なくとも1つの光導波層のエピタキシャル選択成長において、前記選択成長マスクの間隙幅と前記光導波層の選択成長方位面の角度とにより前記光導波層の厚さを制御し、かつ光導波方向に沿って前記光導波層をテーパ状の厚さになるように形成することを特徴とする光結合デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , G02B 6/12 , H01L 31/14

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