特許

J-GLOBAL ID：200903013445097110

半導体装置の製法

発明者： マーク エス.ロッダー
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-242059
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126829
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】 独立に形成されたゲート構造を有するトランジスタを提供する。【解決手段】 半導体層の第1の領域(16)を半導体層(12)の第2の領域(18)から隔離することにより、トランジスタを製造することができる。半導体層(12)の第1の領域(16)の上に第1のトランジスタの第1の使い捨てゲート構造(26)を形成することができる。半導体層(12)の第2の領域(18)の上に相補形の第2のトランジスタの第2の使い捨てゲート構造(28)を形成することができる。第1及び第2の使い捨てゲート構造(26、28)を含めて、第1及び第2の領域(16、18)の上にキャップ層(60)を形成することができる。第1及び第2の使い捨てゲート構造(26、28)の一部分(62、64)をキャップ層(60)から露出させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体層の第1の領域を前記半導体層の第2の領域から隔離し、前記半導体層の第1の領域の上に第1のトランジスタの第1の使い捨てゲート構造を形成し、前記半導体層の第2の領域の上に第2のトランジスタの第2の使い捨てゲート構造を形成し、前記第1 及び第2の領域の上にキャップ層を形成して、前記第1及び第2の使い捨てゲート構造の一部分を露出し、前記第2の使い捨てゲート構造の露出部分の上に第2の使い捨てゲート・キャップを形成し、前記第1の使い捨てゲート構造の少なくとも一部分を取除き、前記第1の使い捨てゲート構造の取除いた部分の代りに、第1のトランジスタの第1のゲート構造の少なくとも一部分を形成する工程を含む半導体装置を製造する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 27/08 321 C ,  H01L 29/78 301 Y