特許

J-GLOBAL ID：200903013452675510

成膜装置および成膜方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-148542
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333857
出願日： 1993年05月27日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 ステップカバレージが良好で高速成膜を行うことを目的とする。【構成】 一対の電極12と13、それらに直交して設けられた一対の電極15と16で構成される2組の電極それぞれにおいて、供給する高周波の位相を異ならせることによって、リサージュ波形を有す高周波電力を反応空間に印加し、基板19上に成膜を行う。

請求項（抜粋）：

平行平板型の一対の電極と、前記一対の電極の一方の電極上に該電極に対して平行に基板が配置され、前記基板に平行に高周波電界を印加する互いに直交した2組の電極と、前記基板に紫外線を照射する手段とを有した成膜装置であって、前記2組の電極にはリサージュ波形が印加され、前記平行平板型の一対の電極の間隔が10mm以下であることを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/48 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-116926
  
• 特開平4-215430
  
• 特開平1-251723
  
• 特開平1-259537