特許
J-GLOBAL ID：200903013456908985

ガラスセラミックおよびその製造方法

発明者：
ティロ ツァハオ

ティロ ツァハオ について

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ライナー リーバルト

ライナー リーバルト について

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ディルク シュプレンガー

ディルク シュプレンガー について

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マイケ シュナイダー

マイケ シュナイダー について


出願人/特許権者：
ショット アーゲー

ショット アーゲー について


代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-279803
公開番号（公開出願番号）：特開2005-145813
出願日： 2004年09月27日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】光学および電子部品の基板に適し、また小さな厚みでさえ、また表面積が大きな場合でさえも、高精度かつ高均質性を備えて製造され得るガラスセラミックを提供する。【解決手段】酸化物ベースの重量%で、SiO2 35〜60、B2O3 >4〜10、P2O5 0〜10、Al2O3 16.5〜40、TiO2 1〜10、Ta2O5 0〜8、Y2O3 0〜6、ZrO2 1〜10、MgO 6〜20、CaO 0〜10、SrO 0〜4、BaO 0〜8、ZnO 0〜4、SnO2+CeO2 0〜4、SO42-+Cl- 0〜4を含み、総含量(SnO2 + CeO2 + SO42- + Cl-)が0.01〜4重量%の間である、ガラスセラミック。このガラスセラミックはフロートガラス法によって加工されてもよく、透明であってもよく、特にディスプレイ適用、太陽電池その他のための薄膜半導体の基板としてとりわけ適している。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
次の成分を酸化物ベースで: SiO2 35〜60重量% B2O3 >4〜10重量%(4重量%より多く、10重量%以下) P2O5 0〜10重量% Al2O3 16.5〜40重量% TiO2 1〜10重量% Ta2O5 0〜8重量% Y2O3 0〜6重量% ZrO2 1〜10重量% MgO 6〜20重量% CaO 0〜10重量% SrO 0〜4重量% BaO 0〜8重量% ZnO 0〜4重量% SnO2+CeO2 0〜4重量% SO42-+Cl- 0〜4重量% を含み、SnO2、CeO2、SO42-およびCl-の総含量Σ(SnO2、CeO2、SO42-、Cl-) が0.01重量%〜4重量%の間である、ガラスセラミック。
IPC (4件)：
C03C10/08 ,  C03C10/02 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04
FI (4件)：
C03C10/08 ,  C03C10/02 ,  H01L29/78 626C ,  H01L31/04 M
Fターム (102件)：
4G062AA11 ,  4G062BB01 ,  4G062DA05 ,  4G062DA06 ,  4G062DB04 ,  4G062DB05 ,  4G062DC03 ,  4G062DD01 ,  4G062DD02 ,  4G062DD03 ,  4G062DE01 ,  4G062DE02 ,  4G062DE03 ,  4G062DF01 ,  4G062EA01 ,  4G062EB01 ,  4G062EC01 ,  4G062ED03 ,  4G062ED04 ,  4G062EE01 ,  4G062EE02 ,  4G062EE03 ,  4G062EF01 ,  4G062EF02 ,  4G062EF03 ,  4G062EG01 ,  4G062EG02 ,  4G062EG03 ,  4G062FA01 ,  4G062FB03 ,  4G062FC03 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FE02 ,  4G062FE03 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FH02 ,  4G062FH03 ,  4G062FJ01 ,  4G062FJ02 ,  4G062FJ03 ,  4G062FK01 ,  4G062FL01 ,  4G062FL02 ,  4G062FL03 ,  4G062GA01 ,  4G062GA10 ,  4G062GB01 ,  4G062GB02 ,  4G062GB03 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ06 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM12 ,  4G062MM27 ,  4G062MM35 ,  4G062NN29 ,  4G062NN31 ,  4G062NN33 ,  4G062QQ15 ,  4G062QQ16 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051GA03 ,  5F051GA11 ,  5F051GA20 ,  5F110AA28 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD06 ,  5F110DD07 ,  5F110DD08 ,  5F110DD24 ,  5F110DD25 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03
引用特許：
出願人引用 (12件)
  • 米国特許第6,583,077号明細書
  • 欧州特許第0 939 396号明細書
  • 欧州特許第0 939 395号明細書
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審査官引用 (3件)

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